意法半导体（ST）在日本电子产品展“CEATEC JAPAN 2003”上，首次展示了嵌入NAND型闪存EEPROM芯片的半导体晶圆。 意法半导体03年4月宣布正式涉足NAND型闪存EEPROM芯片。此次展示的是使用最小加工尺寸120nm工艺生产的512Mbit产品，同时加工出了200mm晶圆。展示的晶圆由ST在NAND型闪存EEPROM领域的合作开发伙伴韩国Hynix半导体负责生产。“虽然目前委托Hynix生产，但从2004年第2季度起将在本公司的300mm晶圆工厂量产NAND型闪存EEPROM。这样将可以较目前大幅度降低生产成本”（ST解说员）。 ST已从2003年11月起供应此次展示的512Mbit型样品，并计划从2004年第1季度起开始量产。另外，从2004年上半年起开始量产256Mbit及128Mbit型号。据ST介绍，该公司的NAND型闪存EEPROM采用了自主开发的存储单元结构，“如果加工尺寸相同，那么单元面积就会比竞争公司小”。ST司将从2004年下半年起使用最小加工尺寸90nm工艺来量产存储容量1Gbit以上的NAND型闪存EEPROM。而且，计划从2004年下半年起开始量产融合90nm工艺和2bit/单元的多值技术、存储容量超过2Gbit的NAND型闪存EEPROM。