三星电子(Samsung Electronics)最近表示，已经开发出4Gb的NAND闪存和512Mb的DRAM。NAND闪存采用70纳米生产工艺，而DRAM则采用80纳米生产工艺。此外，三星还宣布推出一种名为“聚变内存”的芯片，并希望该产品有助于NAND取代NOR闪存及其它内存组合。聚变内存是一种集成式、单芯片内存，它把高密度内存与逻辑器件集成在一起。第一个聚变内存是512Mb NAND闪存，具有一个逻，它将内存与逻辑器件集成在一块芯片上。4Gb NAND闪存的内存单元尺寸为0.025平方微米，包括一个30纳米厚的钨金属门，将减少单元之间的阻抗和噪声水平。新型钨金属门适于采用50纳米工艺的设计。 三星的DRAM采用了Recess Channel Array Transistor (RCAT)技术，以及高k氧化物工艺，满足1.5V以下的低电压需求。初期量产的是1-Gbit和512-Mbit，数据率为3Gbps。