国际整流器公司(International Rectifier，IR)日前推出体积纤巧的控制及同步MOSFET芯片组，适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x高电流同步降压转换器。

     最新IRF6608控制MOSFET的典型导通电阻(RDS(on))为8.5mΩ，IRF6618同步MOSFET的则为1.7mΩ，两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半，是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件高度仅0.7毫米，远小于SO-8封装的1.75毫米。全新IRF6608的导通电阻超越市场上同类控制MOSFET达百分之十，栅电荷(QG)和栅漏电荷(QGD)更低，整体效率高出超过百分之二，是理想的控制MOSFET。

     IRF6618的典型导通电阻为1.7mΩ，最高可达2.2mΩ，据称超越市场上同类器件达百分之二十五。该器件最适合同步MOSFET应用，因为低传导损耗对这些应用极为重要。IRF6618还可应用于高电流、隔离式直流-直流转换器的次级同步整流程序。

     有了这个新芯片组，设计人员可针对符合VRM 10.x规格的1U(1.75英寸高)机架尺寸服务器系统，制作极小巧(0.98英寸)的功率转换器。新芯片组还适用于服务器中的降压转换器和电讯及网络通讯系统中的负载点转换器。