ATDF公司和HPL Technologies公司日前展示了在45纳米节点多门场效应晶体管(MuGFET)的工艺能力。这种先进的半导体器件最终可能取代常规CMOS晶体管。 ATDF多年来主要从事45纳米节点及以下的研究。这次论证作为一个开发项目的一部分来完成的，该项目还包括一家器件制造商、一所大学，以及设备、衬底和材料供应商。该公司制造出这种半导体器件还获得了HPL测试芯片分部的帮助。后者提供了测试芯片生成设施和项目管理技术，以帮助满足苛刻的刻线设计要求。该芯片需要完全崭新的器件拓扑和独特的模拟器件设计考虑。 随着MuGFET开发项目完成第一阶段的任务，ATDF的测试芯片如今可向任何一家需要了解该工艺技术的公司提供。余下的项目任务将解决制造问题，如阈值电压滚降(rolloff)问题.