联电(UMC)日前宣布采用0.25微米逻辑与混合信号平台，研发出业界第一个真正的嵌入式EEPROM。此嵌入式EEPROM主要针对迅速兴起的IC智能卡市场，亦即包含有手机SIM卡、储值卡、信用卡、身份证、USB ID锁等，以及其它任何一种需要安全识别，并且时常更新与编辑信息的应用产品。

　　联华电子的EEPROM技术采用传统的双晶体管EEPROM单元结构，经证实是业界最可靠的结构之一，保证可有超过500K的写入/清除次数，并且同时拥有重写页面与位的能力。这些EEPROM IP具备了低操作电压特性(低于2V操作时电池消耗为1mA)，因此同时适用于接触式，以及只需靠近卡片阅读机即可纪录交易的非接触式智能卡。

　　联华电子中央研究发展部嵌入式内存部部长彭乃真表示：“联华电子一直十分积极地在我们的逻辑与混合信号平台上开发嵌入式内存解决方案，以确保客户得以密切的将嵌入式内存功能与其原有IP结合。而此EEPROM的优异效能对于今日需要高可靠度与低操作电压的智能卡IC设计公司来说是一个十分吸引人的解决方案。” 　　联华电子计划对此嵌入式EEPROM技术提供硅梭(Silicon Shuttle)服务，首次服务将于今年11月推出。此外，联华电子亦同步开发0.25微米嵌入式闪存IP，预期将于今年年底推出。而0.18与0.13微米工艺嵌入式闪存则预定于2005年推出。

     　 （转自　集成电路产业网新闻管理部）