Epcos公司进一步拓展了用于IGBT的系列缓冲电容产品。目前该系列产品的电压范围已扩展到850到2000VDC，而电容值范围也扩展到47nF到2.5μF。

　　这些元件有八种不同带端子(strap terminal)可供选择，其机械特性和外形与Eupec、Fuji、Semikron和Toshiba生产的大部分IGBT模块兼容。每种外壳都有多达五种不同的端子供选用。这些产品的交叉参考列表经过特殊设计，使客户能够在IGBT序码的基础上快速找到带有匹配端子的适合电容。

　　上述产品采用铝金属化聚丙烯薄膜材料制造，额定工作温度范围在-55到+100℃之间。为了获得更高的电容值，每个电容采用了多达四个并联圆柱形绕组。

　　此外，这些电容还可用于处理高电流。在25℃/100 kHz时，该器件能在18Arms的电流下工作，可承受高达1000A的峰值电流国；在100kHz下的等效串联电阻功耗小于35mW。

　　应用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关脉冲会产生电压尖峰，在连接电路中造成寄生电容。这些瞬时电压使IGBT无法充分利用电压，而与之相连的缓冲电容则可以起到保护作用。