国际整流器公司 (IR) 在其DirectFET MOSFET系列中增设三项新20V N信道器件。它们经过优化，适用于VRM 10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、高电流直流-直流转换器，应用范围包括高阶桌面计算机及服务器，以至先进电讯和数据通讯系统。 IRF6623具备更强的控制MOSFET性能，器件导通电阻(RDS(on))及栅电荷(Qg)的乘积减少百分之三十，体积仅为市场上其它高性能20V控制MOSFET一半。此外，在4.5V下RDS(on)和Qg的乘积仅为48.4mOhm-nC，Miller电荷(Qgd)为4.0nC，有助减低开关损耗。 IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg、Qgd 和逆向恢复电荷 (QRR) 值极低，RDS(on) 更较市场上其它高性能20V同步MOSFET改善了百分之三十，在10V下的典型RDS(on) 为2.1mOhm (最大为2.7mOhm)。 IRF6609专为高电流 (33A或以上) 的同步MOSFET应用而设计，能够缔造最佳性能。器件的Qg 和Qgd 极低，并具备超低QRR，在10V下的典型RDS(on) 为1.6mOhm (最大为2.0mOhm)。 IR高级销售副总裁曾海邦称：“DirectFET MOSFET系列现包括20V和30V产品，芯片尺寸范围更广，为设计员提供更多元化的选择以优化电路。DirectFET封装的‘金属罐’结构是性能提升的关键。它能减低无芯片式封装的电阻，实现双面冷却。相比于标准的塑料离散式封装，新封装具有很多前所未见的优点。” 全新DirectFET MOSFET现已投入供应。以一万件计算，IRF6620、IRF6623及IRF6609的单价分别为0.98美元、0.78美元和1.25美元。