飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种高电压MOSFET器件，采用飞兆半导体新型SuperFET™技术，能大幅降低开关电源(SMPS)和功率因子校正(PFC)应用的系统功率损耗，提高功效和可靠性。飞兆半导体的专有SuperFET技术利用多次外延层来构成补偿区域，以改善导通阻抗性能。全新的FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低FOM值(FOM =RDS(on)xQgd)，与拥有相同RDS(on)水平的产品相比，FCP11N60具有最佳的FOM。 FCP11N60和FCPF11N60均提供业界最佳的di/dt(最大值为1430 A/us)，这是由于它们具有宽的体二级管，确保拥有更强大的坚固性、超低RDS(on)(典型值为0.32 ohm)，以及低输出电容(典型值为Coss=35pF)。与TO-3P封装的标准平面结构MOSFET提供的导通阻抗相同，飞兆半导体全新TO-220和TO-220F封装MOSFET能提供更高的功率密度。FCP11N60和FCPF11N60提供优化的栅极电荷水平(典型值为Qg=40nC)，用于降低栅极驱动功率和开关功率损耗。 飞兆半导体高功率产品部副总裁Taehoon Kim称：“飞兆半导体的SuperFET高电压MOSFET系列产品为设计人员以相同储存能量提供相对较低的输出电容--这对于SMPS应用特别有利。” 新型FCP11N60和FCPF11N60分别采用TO-220和TO-220F封装。这种无铅产品达到甚或超越了联合IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。 SuperFET MOSFET的推出与飞兆半导体用于SMPS和DC/DC转换应用的解决方案相辅相成，包括PFC/PWM控制器、桥式整流器和光耦合器。 FCP11N60 (TO-220) 每个3.04美元(订购1,000个)，FCPF11N60(TO-220F) 每个3.19美元(订购1,000个)，有现货供应，交货期为收到订单后16周内。