Zetex推出全新20V和30V N信道晶体管，成功把旧有SOT23封装MOSFET的导通电阻减半、漏极电流提升一倍，在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。 全新ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化沟道MOSFET，采用Zetex SOT23封装，结点至环境的热阻较旧有SOT23器件低出百分之三十七，由每瓦特200°C锐减至125°C，足可发挥更大效益。 20V N信道MOSFET可在60mΩ导通电阻和4.5V栅驱动下，提供4.1A连续漏极电流。30V器件在65mΩ导通电阻和10V栅驱动下的连续漏极电流达3.9A。 Zetex亚太区有限公司董事总经理David Slack表示：“两款新MOSFET适合高效率、低电压的功率管理应用，包括直流-直流转换器、隔离开关及马达控制器。它们把低导通电阻和快速开关优点合而为一。”