Ibis声称已改良了晶圆的顶部表面和顶部硅与下埋氧化层之间的接口，因此可实现小于1埃(angstrom)的粗糙度，这代表超过以前结果的近乎四倍。

　　更光滑的特征可为客户在基于光学和激光的测量工具上提供更好的灵敏度。“Ibis的研发部实现了SIMOX-SOI技术领域的重大改进，” Ibis公司总裁兼首席执行官Martin Reid宣称。Ibis在2004年7月宣布退出SOI晶圆市场，如今提供晶圆制造设备。