意法半导体(STMicroelectronics，以下简称ST)与海力士半导体(Hynix Semiconductor)日前签署了一份协议，将共同在中国江苏省的无锡建立一座前端内存制造厂。新厂将专注于生产DRAM与NAND型闪存，将有助于提升海力士的DRAM产量，并协助ST建立NAND型闪存的产能。这家合资企业同时扩大了两家公司在NAND型闪存的制程/产品开发与制造上的合作关系。　　选择无锡的主要原因是它具有邻近上海的便利性、熟练的劳工以及完备的基础建设。这座先进的晶圆厂将拥有超过18,000平方公尺的洁净室，预计2005年开始建造。完工后，该厂将雇用约1,500名员工，最初将规划8吋与12英吋两条生产线，其中8吋晶圆生产线预计在2006年量产；而12吋晶圆生产线则预计2007年量产。每条生产线的预估月产能将达20,000片晶圆。这座新晶圆厂将为两家公司提供具备高性价比的先进产品产能，以加速切入迅速成长的中国市场。　　目前中国约占有全球半导体市场的14%，在2003年到2008年期间，中国市场的年复合成长率预计会达到20%以上；而ST在中国市场的销售收入已达到15亿美元。由于具有丰富的闪存产品线(包括1GB的NAND闪存IC)，ST的内存IC在中国的销售收入也正在快速成长，特别是电信领域，成长速度最快。另外，由于拥有强大的品牌优势，加上在中国市场上的多年耕耘，海力士在中国的销售收入也占据了该公司全球销售的一大部份。　　ST表示，这个世界级的晶圆厂使我们成为完整的解决方案供货商，特别是在电讯和消费电子产品市场上，因为我们能够提供内存、多媒体处理器和单芯片封装的系统级解决方案。我们不仅能够提供复杂的系统级芯片和专用的解决方案，还能向范围更广泛的客户群提供先进的大量且低成本的产品。ST与海力士的合作关系，也将随着这项重大财务协议的合约签订而更加密切。

     海力士则指出，我们非常高兴能与ST共同在中国建立世界级的晶圆厂。海力士相信，这项策略联盟将为两家公司的长期成长带来更多益处。海力士在2004年通过业务重组与销售其非挥发性内存再创营收高峰，目前产品线包含高性能服务器用的主存储器、图形显示内存、行动设备内存、消费应用内存和NAND闪存；通过此次在中国建厂，海力士将扩大并巩固在内存市场的领导地位。　　由于新的合资企业将拥有300毫米的制造设备，因此新晶圆厂将强化海力士的市场竞争力，维护其在中国市场的领导地位，并解决存在及潜在的贸易问题。另外，新的晶圆制造厂也将确保ST在新的设计中能够使用具有成本竞争力的DRAM产品及技术，并满足特殊客户的生产需求。　　这项计划的总投资额预估为20亿美元。两家公司将共同筹措资金(海力士占67%，ST占33%)，其中ST拥有2.5亿美元的长期债权，而中国政府部门和当地银行也将为合资企业提供组合融资，其中包括债务和长期租赁。ST和海力士正在办理必要的政府审核手续和融资事宜。2005年，ST和海力士的直接投资预计会达到大约3.75亿美元，两家公司将依照1/3和2/3的比例注入资金。　　用来在电子产品中储存资讯的NAND型闪存与DRAM(动态随机取存内存)，是两种截然不同的内存类型。DRAM泛用于PC之中，是一种挥发性内存，它能在通电状况下依照系统对内存的需求储存信息。目前DRAM与闪存一样，已成为行动终端不可或缺的关键内存。而闪存则是一种非挥发性内存，通常被用在数字领域，如蜂巢式电话与数字相机等即使在断电时也必需保存数据的应用中。　　闪存有两大类型：NAMD与NOR，主要分别在于它们的处理架构和一些电子、操作特性。由于NAND型闪存具有快速编程能力，因此特别适用于数字相机等必须储存大量影像数据，但又要快速写入的应用。而NOR型闪存则拥有快速随机读取时间特性，因此非常适合必须储存大量数据数据的应用。