半导体晶粒(Dice)堆叠对于复杂集成问题来说并不是一个新方法，大大小小的公司对此已研究了十几年。三家公司Matrix、Tezzaron和Irvine Sensors最近声称采用各自的方法在该领域取得进展。

　　Matrix Semiconductor公司日前宣称，在投入批量生产仅仅4个月之后就已交付100万片3D一次性可编程非易失性存储器。Matrix的3DM器件采用标准TSOP或MultimediaCard格式封装，密度高达64MB。该器件由台积电代工制造，Amkor Technology封装。

　　而Tezzaron Semiconductor此前也于4月宣布开始限量供应两种商用3D器件：含200MHz RISC内核和512kB的堆栈SRAM的微控制器，以及带1、2或4Mb同步SRAM的存储器件。Tezzaron表示，两种产品均为两层器件，采用0.18微米技术，承诺不久将推出5层器件。该公司还表示不打算堆栈器件，而更愿意采用其FsStack工艺构建。该工艺采用直通硅片(through-silicon)连接器。

　　Irvine Sensors公司则表示能在一个封装内堆栈2到4层DRAM、Flash或SRAM，与单BGA芯片有相同的轮廓。这家公司将两片256Mb的同步DRAM或两片双数据率的SRAM堆叠创建出512Mb的存储器。

　　（文章来源：电子工程专辑）