Soitec SA公司日前宣布，已与ASM International NV制造出300mm直径的应变绝缘硅(sSOI)晶圆。两家公司还宣布拓展双方的合作关系，进一步提升制造效率并开发sSOI产品。

　　sSOI晶圆应变值为1.5gigapascal(GPa)，晶圆同质度为±7%。创记录的应变对应的硅晶格变形度为近1%。应变硅层厚度为200埃，同质度为±3%，表面粗糙度可媲美优质体(bulk)硅晶圆。内部测试显示，Soitec sSOI 晶圆在高达1100摄氏度的温度下能保持应变力，为适应CMOS集成热预算提供了足够的工艺窗口。 　 “300mm sSOI晶圆样品的成功制造使该项目超越了研发评估阶段，迈入了工业化阶段，使Soitec能提供用于45nm技术节点开发IC的晶圆。” Soitec首席技术官Carlos Mazure在声明中表示。

　　最初的300mm晶圆是用于全耗散(FD)型结构的薄膜sSOI，用于局部耗散(PD)结构的厚膜sSOI晶圆将于2005年首季开始出样。 　 （文章来源：电子工程专辑）