东芝电子近日推出具备低导通电阻、大电流、高容许损耗的新封装功率MOSFET——TPCM8001-H。这种名为TSSOP Advance的新型封装与TSSOP-8封装的安装面积相同。采用新型封装的功率MOSFET将有助于笔记本电脑、台式电脑、游戏机等信息通信产品实现小型化、轻量型及延长工作时间。

　　作为面向同步整流型DC/DC转换器的产品，东芝先期开发并量产超高速U-MOSIII设计(N沟道)，并计划今后开发用于各种负荷开关的超低导通电阻U-MOSIV (P沟道)。

　　TPCM8001-H功率MOSFET封装厚度为0.75mm (典型值)，具有扁平引脚。该器件通过采用Ar母线技术，封装电阻和配线电感都比使用焊丝的产品要低；其性能较通常产品约提高40% (RDS(ON)＊Qsw)，适用于超高速U-MOSIII设计；有利于同步整流型DC/DC转换器效率的提高。

　　东芝公司表示，这种新型封装还将向锂充电电池用超低导通电阻产品拓展。 　 （转自　国际电子商情）