| 安捷伦科技公司推出高线性度增强模式伪形态高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)场效应管(FET)ATF-52189和ATF-53189 |
| 类别:电子综合 |
|                    安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前宣布,为其高线性度增强模式伪形态高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)场效应管(FET)产品系列增加两个新成员——ATF-52189和ATF-53189。新产品采用4.5×4.1×1.5mm的SOT-89行业标准表面封装,有助于简化将50MHz~6GHz基站升级到更高通道容量的工作。 安捷伦的ATF-52189和ATF-53189是为发射器的功放器和接收器的低噪声放大器而设计的,可以用于工作频率在450MHz~6GHz的蜂窝和PCS基站、低地面轨道卫星系统、陆上多通道多点分布系统(MMDSs)及其它通信应用领域。 ATF-52189在2GHz时,其三阶输出截取点(OIP3)为42dBm,能够处理大量的语音和数据通道。在2GHz时,其它技术参数包括27dBm的典型线性输出功率(P1dB)、16dB的增益和55%的功率加效率(PAE)以及1.5dB的噪声系数等。典型工作偏置在200mA时为4.5V。因此,适用于中等功率、高线性度的发射器驱动器或预驱动放大器。 ATF-53189具有更低的噪声系数(0.85dB) ,40dBm的OIP3, 23dBm的P1dB, 15.5dB的增益和46%的PAE。典型工作偏置在135mA时为4.0V,适用于接收器前端阶段低噪声、高线性度放大器,也适用于中等功率、高线性度发射器驱动器或预驱动放大器。 ATF-52189和ATF-53189采用E-pHEMT工艺,具有良好的性能一致性和300年以上的单点平均故障间隔时间(MTTF)。这些器件采用无引线封装,额定的潮湿灵敏度等级为1级(MSL1)。 上述两款新产品有现货供应,其中ATF-52189的单价为2.56美元,而ATF-53189的单价为2.11美元,以上价格仅供参考。 (转自 中国元器件在线)           |
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