中芯国际(SMIC)日前宣布，该公司位于北京的12英寸晶圆厂为英飞凌(Infineon)代工的0.11微米沟槽式工艺DRAM，以及为尔必达(Elpida)代工的0.11微米堆栈式工艺DRAM等，均已突破良率瓶颈，处于全面量产投片之中，月产能达2万片。 此前在2004年12月，中芯国际首席执行官张汝京透露，该公司在北京的12英寸晶圆厂正在为英飞凌和尔必达试产DRAM，且称进程“令人鼓舞”。但在2005年2月，业界传言，中芯国际遭遇的困难超出预期，特别是该公司很难采用同一套工具集来应对英飞凌的0.11微米沟槽式工艺，以及尔必达的0.10微米堆栈式工艺。 中芯国际首席运营官Marco Mora日前在一次研讨会上也承认，从0.14微米工艺转移到0.11和0.10微米工艺的过程相当艰难，但他表示，该公司最近已经采用0.11和0.10微米工艺试产成功。根据他的解释，中芯国际为这两家客户投产的DRAM，其中有8成是采用相同的工具集，一定程度上避免了同时设两条生产线导致成本过高的问题。 除了突破良率瓶颈，中芯国际还宣布，该公司将于第三季度开始在北京的12英寸晶圆厂以90纳米工艺，投片生产SRAM和逻辑IC等产品。

     （转自 国际电子商情）