东芝(Toshiba)公司日前宣布推出一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET。由于拥有垂直通道，超结合技术结构(Super Junction Structure)允许电流在硅衬底顺利流通，从而降低了导通电阻。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上，同系列的东芝DTMOS设备与东芝传统的MOSFET相比，导通电阻的栅极电荷(Qg)减少40%。

     首款采用DTMOS技术的产品是TK15A60S，它定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器等应用。东芝公司将于近日发布最新MOSFET样品，将在2005年4月投入生产。 TK15A60S的工作电流/电压为15A/600V，最大导通电阻0.3Ω，采用TO-220SIS封装，样品于2005年3月面世，定价300日圆(仅供参考)。