即将在美国加州举行的国际互联技术会议(IITC) 上，日本富士通(Fujitsu)公司预计将宣读一篇论文，介绍该公司在碳纳米管互联方面取得的一项新突破。

　　在这篇论文中，富士通公司宣称，多壁(multi-walled)碳纳米管具有下一代芯片设计所需的互连通孔(via)低阻抗。

　　富士通公司表示，纳米级别的金属碳纳米管与传统技术相比具有更高的电流密度。该公司已经在2微米通孔中制造了成束的纳米管。每根管线的内壳连在一起形成额外的传导通道已降低阻抗，其结果是与钨的理论值处于同一数量级。尽管比铜高一个数量级，在概念上碳纳米管的性能远远比电迁移好。

　　在IITC会议上，富士通公司将在论文中披露更详细的信息。　 （来源　电子工程专辑）