据外电报导，全球最大记忆体晶片供应商南韩三星电子(Samsung Electronics)副总裁Woosik Chu表示，三星已走出DRAM事业谷底，在目前DRAM均价稳定、下半年需求扬升之际，三星经过第二季(Q2)DRAM毛利率落底之后，预期2005年下半DRAM毛利率不会再向下跌。

　　财报资料显示，三星Q1半导体事业群营运毛利率31%，分析师普遍预期Q2毛利率将受到进一步侵蚀，预期Q3毛利率会有所改善。

     　　尽管三星对于下半年DRAM市场乐观以待，但Chu表示，三星下半年NAND型快闪记忆体(Flash)事业，则将面临毛利受到压缩的影响。不过，Chu明确指出，三星为了刺激市场需求所采行的降价行动，本质上其实是扩充高容量NAND型Flash市场策略之一，尽管三星在毛利率上有所妥协，但整体而言，三星仍将受惠于全球NAND型Flash市场高成长态势。

　　三星对于下半年NAND型Flash市场需求充满信心，Chu认为，事实上，目前业者开出的产能仅能满足全球NAND型 Flash市场7成的需求，三星寻求以年度均价降幅40%的水准，扩充高容量2Gb与4Gb产品市场。

　　市调机构iSuppli分析师Nam Hyung Kim指出，三星占有全球NAND型 Flash市场近6成比重，一定范围内具有支配均价的优势，积极的价格战更是三星对后进业者立下的进入障碍。

　　不过，美林证券(Merrill Lynch)甫于日前公布的最新报告则认为，NAND型 Flash均价下滑的速度，远较业者降低成本的速度来得快，原先不寻常的高毛利时代已然告终，在产能过剩之下，NAND 型Flash的获利已弥补不了DRAM的缺口。

　　然而，JP Morgan分析师J.J. Park则认为NAND型 Flash市场需求被低估，Park认为，在所有半导体产品中，NAND 型Flash具有最高的价格弹性，产品均价的下跌均能完全转化为更多的百万位元(megabyte)消耗量，达到刺激市场需求目标。