富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)非易失存储器技术。

　　根据协议，双方计划研制一种高集成度的下一代FRAM，其组件面积将只有目前市场上销售的常规FRAM的1/6， 研发计划预计将于2006年上半年完成。同时，富士通和爱普生还计划开发一种存储器核心处理技术，其特点是对于可执行的读写周期的限制达到了最小。

　　近年来，便携式信息设备和智能家用电器都变得越来越先进，导致FRAM非易失存储器的需求量迅速攀升，因为这种存储器能够满足一系列非常广泛的市场需求，例如，与闪存和电可擦除只读存储器(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory, EEPROM)4 相比，这种存储器具有低能耗、快速读写的特点。 除了只读存储器(ROM)所具有的功能外，FRAM还具有非易失随机存储器(RAM)的功能，因此能够成为目前市场上的最佳存储设备之一，并成为系统大规模集成电路(LSIs)的理想存储器解决方案。

　　富士通和爱普生计划通过联合开发下一代FRAM技术，将彼此的重要技术(如FRAM材料和微型化制程)结合起来，以此来达到缩短开发周期的目的。