英国的伦敦帝国学院(Imperial College London)、杜伦大学(Durham University)和谢菲尔徳大学(the University of Sheffield)的研究人员，最近共同在《科学》期刊上发表了一篇论文，披露了一种被他们命名为“磁畴壁逻辑(magnetic domain-wall logic)”的技术，据称该技术能以远远超过常规微电子的高密度存储并处理数据。

　　伦敦帝国学院表示，其电路显示了一种与大脑神经元和轴突类似的方法。这所大学指出，该项最新研究成果有望用于研制出一种芯片，能够融合硬盘驱动器的存储能力和存储卡的低成本优势，有潜力提高存储容量200倍，从平均500MB增至约100GB(1GB相当于8Gb)。

　　担任此项研究首席研究员的伦敦帝国学院理系纳米技术教授Russell Cowburn表示：“此项技术有潜力将手机(mobiles)转变成全功能的照相机(video camera)，并可用于其它许多应用。” 　　Cowburn及他的同事们采用旋子(spintronics)技术，即电子功能基于引起磁性的电子旋转，而不是传统微芯片使用的电荷。“传统上，我们在微芯片中采用电子，而在硬盘中采用磁性。这次研究发现使我们能融合这两种方法制成新一代的3维微芯片，比平面的两维表面存储更多信息，”Cowburn说道。

　　研发团队正与一些未披露名称的商业伙伴进行合作，进一步开发该技术。合作方正在谋划制造一款演示芯片。