中芯国际 (SMIC)和光刻印刷增强技术系统供应商朗明科技公司(Luminescent Technologies Inc.)近日共同宣布将朗明科技的反向光刻印刷技术(Inverse Lithography Technology)应用在中芯国际的65纳米及以下技术工艺的生产中。双方共同致力于将反向光刻印刷技术应用于最先进的集成电路设计中。两家公司的合作始于将朗明科技所研发的“探索者”(ExplorerTM)光刻开发平台安装在中芯国际的制造厂中。 “中芯国际已经成功地在光掩膜和硅片上展示了该技术的优越性能, ”中芯国际逻辑技术发展中心副总裁陈一浸博士说，“光刻印刷，尤其是光刻精度增强技术（RET），是半导体制造长期以来始终面临的挑战，近十年以来仅有极少实质性的革新。中芯国际为能支持创新性的技术和制程来为客户提供最佳的解决方案而倍感骄傲和自豪。” 朗明科技首席执行官，David Fried，高度肯定了中芯国际在光刻技术上的先锋精神，他说, “ 通过这个协议, 中芯国际积极推进半导体制造技术的发展同时拓展其业务并维护其竞争优势。在中芯国际一流的生产环境里配置我们的“探索者”产品， 使得我们有机会与业界领先者共同开发先进的光刻印刷技术。" 反向光刻印刷技术是根据在硅片上预期图形采用数学方法严谨地计算光掩膜板所需图形。这是比光刻精度增强技术更严谨且更直接的光刻精度增强技术 。朗明科技的反向光刻印刷产品是首个专为深度次波长(Deep Sub-wavelength) 时代开发的光刻生成技术产品。具有图案印刷保真度高、有效缩短生产过程、缩短硅片产出时间等优势。且所有这一切均不会改变现有光刻印刷基础设施及从设计到硅片产出流程。