一季度增长10.9%。毛利率由第二季度的2.3%增至第三季的8.2%。与第二季净亏损4,040万美元相比，第三季的净亏损减少至2,610万美元。同时，中芯国际第三季度的月产能增长至14.3万片8英寸等值晶圆，产能利用率由第二季的87%升至第三季的92%。

     中芯国际总裁兼CEO张汝京表示：“当我们专注于执行我们的计划时，在第三季我们看到来自于先进主流技术的客户们之大量订单。我们增加的收益第一次有超过90%主要源自0.18微米及其以下技术的尖端工艺。” 中国本地IC设计公司的发展，为中芯国际带来了商机。张汝京指出：“我们同时也新增了25个设计定案产品，其中有超过三分之一来自中国大陆的客户，三分之一的工艺是使用0.13微米的技术。当我们着力于中国大陆的集成电路产业，我们成功地为重庆重邮资讯科技有限公司制造了世界第一个用于TD-SCDMA 0.13微米芯片。” 而在90纳米方面，中芯国际将于2005年底前开始商用化的试产。张汝京还表示：“我们北京的研发部门已经在90纳米技术的研发中取得了很大的进步，客户已经对本公司生产他们90纳米产品的能力表示满意。我们通过验证的产品已超越客户的既定目标也达到产业平均水准。我们预计在第四季末前开始试产，之后将尽速开始量产。” 张汝京还透露说：“已与客户达成协议，共同开65纳米工艺，预期于2006年底前完成工程样片的制造。”中芯国际在先进工艺的开发速度上让业界震惊，因为晶圆代工巨头台积电(TSMC)和联电(UMC)最近才宣布推出65纳米样片。在发布财报随后的电话会议上，张汝京指出，将集中为少数有较高产量需求的客户提供65纳米代工服务。 值得注意的是，张汝京表示：“在本季度中，本公司增加一个前五大无厂房新客户，也同时和另一个前五大无厂房公司开始合作。”根据全球无厂半导体协会(FSA)发布的2004年和2005年第二季度全球无厂半导体公司排名，前5位的厂商包括高通、Broadcom、ATI、NVIDIA和SanDisk。我们猜想其中一家和中芯国际合作的无厂公司可能是SanDisk，因为自从苹果推出采用NAND闪存的iPod nano以来，闪存供应面临短缺。 张汝京的发言似乎也证明了这一点。张汝京表示：“我们也将使用Saifun授权的90纳米逻辑工艺技术来生产2G NAND闪存产品。我们亦与Elpida达成协议将北京4厂的DRAM工艺自100纳米转移到90纳米。”当然，也存另一种可能性，即中芯国际为英飞凌生产闪存，因为英飞凌和中芯国际合作紧密，而且英飞凌和Saifun的关系也十分亲密。 张汝京还表示：“我们在成都的测试封装项目正如期进行中，将在第四季度开始试产，如此，我们便可以提供中国大陆全方位的制造服务，此外，基于内存和覆晶逻辑产品封装厂的短缺，我们希冀可以开始量产来服务我们的客户。”