正如预期，Elpida Memory目前已开始生产2G DDR2的同步DRAM样品，采用80纳米制造工艺。而该公司没有说明何时开始量产。Elpida没有透露在为哪家公司生产该样品，并称将“根据市场需求情况”决定量产情况。 该公司在2005年6月宣布开始DRAM内存的开发工作，当时称预计于2006年第一季度(2006财年结束)前开始量产。 从Elpida最近发表的声明来看，它显得有些信心不足。因为它没有确认之前公布的时间表，而声称要根据市场需求情况而定。Elpida Memory在美国的技术市场总监Jun Kitano说：“迫于市场需求压力，Elpida是在新近扩展的300mm晶圆厂进行的DRAM制造，并采用80纳米工艺。” Elpida的新款DRAM提供三种数据速率，包括533Mbps、667Mbps以及800Mbps，其配置方式是64M words×4bits×8banks或者32M words×8bits×8banks。DRAM的电源电压(VDD)为1.8V，工作温度范围是0℃到85℃，并采用68引脚 FBGA封装。