该技术强调晶体管硅原子之间的距离，也就是芯片基础的微小开关（on/off switch）。稍微将这些原子间的距离拉开之后，可以降低原子力对晶体管间电子运动的干扰，进一步得到更高的效能并降低芯片的耗电量。

在张力硅芯片里，藉由在硅栅间加入锗原子以将原子距离拉长。另一种芯片制造技术则是在晶体管床（transistor bed）上加上硅锗层（silicon-germanium）。这两种技术虽然不同但观念大同小异，而且可以用在同样的芯片上。