Renesas Technology公司开发出称为“superSRAM”的低功耗SRAM系列产品，这些产品因开发出一种新型存储单元而具有很大的存储容量和很低的功耗，但芯片尺寸却很小。

    初始阶段的16Mb superSRAM 有R1LA1616R系列（1.8V版本）和R1LV1616R系列（3V版本），据称“采用0.15微米工艺制造成世界上最小芯片尺寸的16Mb低功耗SRAM，芯片尺寸约为 32 mm2”。这两个系列适用于便携式设备，如移动电话。

    该新型存储单元既有以P沟道TFT作为负载晶体管和以N沟道MOSFET作为驱动晶体管的SRAM单元，又有在存储节点采用叠层电容器的DRAM单元。该电容器使得驱动晶体管的尺寸可以最小，从而有可能使存储器单元面积约为使用采用相同的工艺的常规6晶体管结构的CMOS SRAM的一半。

    存储在电容器中的电荷可使软错误率比常规CMOS RAM减少大约两个数量级，从而实现非常可靠的SRAM。

    与常规SRAM一样，存储在存储器单元中的信息可通过负载晶体管和驱动晶体管来自动保持，因此不需要刷新。在标准条件下(25℃)，“superSRAM”的数据保持电流为1A，这与该公司常规16Mb低功耗SRAM相同。根据一个金属掩模选件，“superSRAM”有两个外部电压版本：1.8V (1.65 V～2.3 V) R1LA1616R系列和3V (2.7 V～3.6 V) R1LV1616R系列。

    “superSRAM”有两种封装：52脚TSOP封装，尺寸为10.79×10.49mm，引脚间距为0.40mm；8球小间距BGA封装，尺寸为7.5×8.5 mm，球距为0.75mm。

     网址：www.sg.renesas.com