这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

器件

其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)

NTD4804N 30 V 117 A 4 m? 30 nC

NTD4805N 30 V 88 A 5 m? 20.5 nC

NTD4806N 30 V 76 A 6 m? 15 nC

NTD4808N 30 V 63 A 8 m? 11.3 nC

NTD4809N 30 V 58 A 9 m? 10.7 nC

NTD4810N 30 V 54 A 10 m? 9 nC

NTD4813N 30 V 40 A 13 m? 6.9 nC

NTD4815N 30 V 35 A 15 m? 6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)

NTMFS4833N 30 V 191 A 2 m? 39 nC

NTMFS4834N 30 V 130 A 3 m? 33 nC

NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 m? 25 nC

NTMFS4836N 30 V 90 A 4 m? 19.1 nC

NTMFS4837N 30 V 74 A 5 m? 14.2 nC

NTMFS4839N 30 V 66 A 6 m? 12 nC

NTMFS4841N 30 V 57 A 7 m? 11.9 nC

NTMFS4741N 30 V 67 A 8 m? 15 nC

NTMFS4744N 30 V 53 A 10 m? 10 nC

NTMFS4747N 30 V 44 A 13 m? 12 nC