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TPS1100DR的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:TPS1100DR

FET数:1

漏源电压(V):-15

持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.600

静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):8SOIC/-40~85

描述:单路P沟道增强方式MOSFET

价格/1片(套):￥6.80
 
 
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