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BSS84LT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:BSS84LT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000

最大漏极电流Id(on)(A):0.130

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23/-55~150

描述:小信号P沟道SOT23封装场效应管

价格/1片(套):￥.70
 
 
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