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MGSF1N02LT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MGSF1N02LT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130

最大漏极电流Id(on)(A):0.750

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-223/-55~150

描述:0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET

价格/1片(套):￥1.50
 
 
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