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MMBF170LT1的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MMBF170LT1

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－

最大漏极电流Id(on)(A):0.500

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-223/-55~150

描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET

价格/1片(套):￥.60
 
 
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