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MMDF3N02HDR2G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MMDF3N02HDR2G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90

最大漏极电流Id(on)(A):3.800

通道极性:N/N沟道

封装/温度(℃):SO-8/-55~150

描述:3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

价格/1片(套):￥6.20
 
 
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