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MMDF3N04HDR2G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MMDF3N04HDR2G

源漏极间雪崩电压VBR(V):40

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80

最大漏极电流Id(on)(A):3.400

通道极性:N/N沟道

封装/温度(℃):SO-8/-55~150

描述:3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET

价格/1片(套):￥6.00
 
 
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