源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67
最大漏极电流Id(on)(A):30
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175
描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):¥11.80