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MTB30P06VT4G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MTB30P06VT4G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67

最大漏极电流Id(on)(A):30

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175

描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET

价格/1片(套):￥11.80
 
 
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