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MTD6N15T4G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MTD6N15T4G

源漏极间雪崩电压VBR(V):150

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300

最大漏极电流Id(on)(A):6

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):4DPAK/-55~150

描述:6A,150V,DPAK,N沟道功率MOSFET

价格/1片(套):暂无
 
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