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MTP12P10G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MTP12P10G

源漏极间雪崩电压VBR(V):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300

最大漏极电流Id(on)(A):12

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):TO-220AB/-65~150

描述:12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET

价格/1片(套):￥10.80
 
 
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