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MTP2P50EG的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:MTP2P50EG

源漏极间雪崩电压VBR(V):500

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6000

最大漏极电流Id(on)(A):2

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150

描述:小信号P沟道TO-220AB封装场效应管

价格/1片(套):￥13.40
 
 
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