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NIF9N05CLT1的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NIF9N05CLT1

源漏极间雪崩电压VBR(V):52

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100

最大漏极电流Id(on)(A):2.600

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT223/-55~175

描述:保护功率MOSFET 2.6A,52V N沟道逻辑电平

价格/1片(套):￥5.70
 
 
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