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NTA4151PT1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTA4151PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360

最大漏极电流Id(on)(A):0.760

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150

描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护

价格/1片(套):￥1.16
 
 
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