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NTB30N06G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTB30N06G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42

最大漏极电流Id(on)(A):27

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK /-55 ~150

描述:30 A, 60 V 功率MOSFET

价格/1片(套):￥6.00
 
 
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