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NTB5605PG的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTB5605PG

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140

最大漏极电流Id(on)(A):18.500

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150

描述:- 60 V, - 18.5 A,功率MOSFET

价格/1片(套):￥6.00
 
 
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