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NTB60N06T4G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTB60N06T4G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14

最大漏极电流Id(on)(A):60

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150

描述:60 V, 60 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥11.20
 
 
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