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NTB65N02R的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTB65N02R

源漏极间雪崩电压VBR(V):25

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200

最大漏极电流Id(on)(A):65

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55~150

描述:65A,24V功率MOSFET

价格/1片(套):￥6.40
 
 
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