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NTB75N06T4G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTB75N06T4G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500

最大漏极电流Id(on)(A):75

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150

描述:75 A, 60 V功率MOSFET

价格/1片(套):￥18.00
 
 
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