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NTB85N03的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTB85N03

源漏极间雪崩电压VBR(V):28

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100

最大漏极电流Id(on)(A):85

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55~150

描述:85A,28V逻辑电平的功率MOSFET

价格/1片(套):￥9.20
 
 
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