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NTB90N02的技术参数
类别:电子综合  
 
产品型号:NTB90N02

源漏极间雪崩电压VBR(V):24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5

最大漏极电流Id(on)(A):90

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):D2PAK/-55~150

描述:90A,24V逻辑电平的功率MOSFET

价格/1片(套):¥9.20