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NTD110N02R-001G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTD110N02R-001G

源漏极间雪崩电压VBR(V):24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600

最大漏极电流Id(on)(A):110

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150

描述:24 V, 110 A功率MOSFET

价格/1片(套):￥6.00
 
 
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