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NTD25P03L的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTD25P03L

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):51

最大漏极电流Id(on)(A):25

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):DPAK/-55~150

描述:-6.8A,-20V双功率MOSFET

价格/1片(套):￥4.50
 
 
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