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NTD2955的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTD2955

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150

最大漏极电流Id(on)(A):12

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):DPAK/-55~150

描述:-0.4A,-20V功率MOSFET

价格/1片(套):￥3.00
 
 
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