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NTD3055L104-1G的技术参数
类别：电子综合  
 
产品型号:NTD3055L104-1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104

最大漏极电流Id(on)(A):12

通道极性:N

封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175

描述:60V,12A,N沟道MOSFET

价格/1片(套):暂无
 
 
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